XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)

В. А. Зиновьев^a, А. С. Дерябин^a, А. В. Кацюба^a, В. А. Володин^ab, А. Ф. Зиновьева^ab, С. Г. Черкова^a, Ж. В. Смагина^a, А. В. Двуреченский^ab, А. Ю. Крупин^c, О. М. Бородавченко^d, В. Д. Живулько^d, А. В. Мудрый<sup>d

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
^d Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Республика Беларусь

Аннотация: Развиты подходы к получению эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si и Ge, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$. Исследования методом комбинационного рассеяния света продемонстрировали наличие узких пиков рассеяния на колебаниях Si–Si- и Ge–Ge-связей в плоскости роста структур. В спектрах фотолюминесценции созданных структур обнаружены полосы излучения, которые могут быть связаны с излучательной рекомбинацией носителей заряда в двумерных слоях Si и Ge, встроенных в CaF$_2$.

Ключевые слова: фторид кальция, кремний, германий, молекулярно-лучевая эпитаксия, электронное облучение, атомная структура, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53139.25

Реферативные базы данных:

•