XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии

Д. С. Милахин^ab, Т. В. Малин^a, В. Г. Мансуров^a, А. С. Кожухов^a, Н. Н. Новикова^c, В. А. Яковлев^c, К. С. Журавлев<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
^c Институт спектроскопии РАН, 108840 Москва, Троицк, Россия

Аннотация: Исследовано влияние разной степени завершенности процесса нитридизации поверхности сапфира на морфологию буферного слоя AlN. Обнаружено, что $\sim$85% завершенность образования кристаллической фазы AlN способствует росту двумерного буферного слоя AlN с гладкой морфологией поверхности вне зависимости от температуры подложки и потока аммиака, в отличие от формирования зародышевого слоя AlN в результате слабой или избыточной нитридизации сапфира, на котором образуется поликристаллическая либо трехмерная структуры AlN с высокой плотностью инверсионных доменов соответственно. Независимыми методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии поверхностных поляритонов была определена толщина зародышевого слоя AlN при $\sim$85% степени завершенности процесса нитридизации, которая составила $\sim$1 монослой.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия из аммиака, AlN, сапфир, дифракция быстрых электронов на отражение, нитридизация, инверсионные домены, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, поверхностные поляритоны.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53137.23

Реферативные базы данных:

•