Эта публикация цитируется в 1 статье

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge

М. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано влияние электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазонов на резистивное переключение МДП-структуры на основе пленок ZrO$_2$(Y) на подложке $n$-Si(001) с самоорганизованными наноостровками Ge на ее поверхности. Наблюдалось увеличение логического коридора резистивных переключений при фотовозбуждении, связанное с влиянием фотоэдс на барьере Si/Ge/ZrO$_2$(Y), в том числе при фотовозбуждении в области энергий квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si. В последнем случае эффект связан с пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в наноостровках Ge.

Ключевые слова: мемристор, фотоиндуцированное резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, МДП-структура, наноостровки Ge/Si.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53135.21

Реферативные базы данных:

•