XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов

Н. Т. Баграев^ab, С. А. Кукушкин^a, А. В. Осипов^a, В. Л. Уголков<sup>c

a</sup> Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт химии силикатов имени И. В. Гребенщикова РАН, 19034 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости продольного сопротивления и теплоемкости эпитаксиальных пленок карбида кремния, выращенных на подложках монокристаллического кремния методом согласованного замещения атомов. Обнаружены особенности в поведении этих зависимостей при значениях температур, равных: 56, 76, 122 и 130$^\circ$С. Наблюдаемые особенности поведения теплоемкости и продольного сопротивления, с учетом обнаруженного ранее в этих образцах и при этих температурах возникновения гигантского значения диамагнетизма, интерпретированы как электронные фазовые переходы в ансамблях носителей заряда в когерентное (возможно, сверхпроводящее, если учитывать диамагнетизм) состояние.

Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, метод замещения атомов, углеродно-вакансионные структуры, терагерцовое излучение, наноструктура, квантовый эффект Фарадея, сверхпроводимость, эффект Мейснера–Оксенфельда, эффект Джозефсона, теплоемкость.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52766.24

Реферативные базы данных:

•