Аннотация:
Изучено влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия. Протравленные профили GaAs исследовались методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Оказалось, что скорость процесса не зависит от потока фреона, а определяется в большей степени емкостной и индуктивной мощностью, а также давлением. При этом с ростом мощности генератора плазмы существенно ухудшается морфология поверхности, что проявляется в увеличении шероховатости и появлении разного рода дефектов на GaAs и на маске. Проведение процесса при низком давлении приводит к выпадению единичных крупных неоднородностей на подложке. Переход от импульсного к непрерывному режиму травления сопровождается ухудшением анизотропии процесса из-за осаждения на боковых стенках полимерного слоя.