RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7, страницы 685–688 (Mi phts7083)

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия

А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов

Институт физики микроструктур РАН, 603087 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Изучено влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия. Протравленные профили GaAs исследовались методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Оказалось, что скорость процесса не зависит от потока фреона, а определяется в большей степени емкостной и индуктивной мощностью, а также давлением. При этом с ростом мощности генератора плазмы существенно ухудшается морфология поверхности, что проявляется в увеличении шероховатости и появлении разного рода дефектов на GaAs и на маске. Проведение процесса при низком давлении приводит к выпадению единичных крупных неоднородностей на подложке. Переход от импульсного к непрерывному режиму травления сопровождается ухудшением анизотропии процесса из-за осаждения на боковых стенках полимерного слоя.

Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, индуктивно-связанная плазма, арсенид галлия.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52760.15



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026