XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN

И. В. Осинных^ab, Т. В. Малин^a, А. С. Кожухов^a, Б. Я. Бер^c, Д. Ю. Казанцев^c, К. С. Журавлев<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структурное совершенство выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN/Al$_2$O$_3$ гетероструктур с высокой концентрацией кремния в слоях Al$_x$Ga$_{1-x}$N : Si. Показано, что в случае, если буферные слои AlN металлической полярности содержат инверсионные домены азотной полярности, при последующем росте слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$ : Si инверсионные домены не прорастают до поверхности, а меняют азотную полярность на металлическую. На месте инверсионных доменов AlN растут уширяющиеся колонны Al$_x$Ga$_{1-x}$ металлической полярности, которые срастаются с окружающей их матрицей металической полярности в однородную пленку. Толщина, на которой происходит полное срастание, увеличивается с увеличением содержания Al в слоях.

Ключевые слова: A$_3$-нитриды, инверсионные домены, структурные дефекты, аммиачная-МЛЭ.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52759.14

Реферативные базы данных:

•