XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака

Я. Е. Майдэбура, Т. В. Малин, К. С. Журавлев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение выполнено экспериментальное исследование преобразования двумерного слоя GaN в трехмерные островки (2D–3D переход) при повышении температуры в потоке аммиака. Полученные результаты были объяснены в рамках разработанной ранее кинетической модели и модели равновесия Mariette. Показано, что с повышением температуры за счет процессов десорбции частиц NH$_2$ поверхностная энергия увеличивается, 3D состояние поверхности становится энергетически выгодным, и происходит формирование 3D островков. При дальнейшем повышении температуры за счет процессов диссоциации частиц NH$_2$ и NH поверхностная энергия уменьшается и 2D состояние поверхности снова становится энергетически выгодным, в результате чего 3D островки преобразовываются обратно в 2D слой.

Ключевые слова: квантовые точки GaN, поверхностные процессы, ДБЭО, МЛЭ.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52757.12

Реферативные базы данных:

•