Физика и техника полупроводников,
1987, том 21, выпуск 5,страницы 904–910(Mi phts708)
Эффект дальнодействия при ионном облучении
«бескислородного» кремния
Е. И. Зорин, Н. В. Лисенкова, П. В. Павлов, Е. А. Питиримова, Д. И. Тетельбаум
Аннотация:
Исследовано изменение удельного сопротивления
«бескислородного» высокоомного кремния на глубинах, существенно
превосходящих пробег ионов, при облучении ионами средних энергий. Показано,
что наблюдаемый рост сопротивления (по крайней мере частично) связан
с выравниванием неоднородности распределения исходного удельного сопротивления.
На основании полученных и ранее опубликованных данных сделан вывод о том,
что эффект связан с диффузией собственных междоузельных атомов (СМА).
Установлено уменьшение дифференциального сопротивления $p{-}i{-}n$-структур,
изготовленных на облученных образцах. Трансмиссионная
электронная микроскопия выявила «залечивание» дефектов,
связанных с механической обработкой поверхности, при облучении с
противоположной стороны образца. С использованием этих данных оценены
диффузионная длина СМА и величина барьера захвата СМА примесными атомами.