XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры

И. Ю. Забавичев^ab, А. С. Пузанов^ab, С. В. Оболенский<sup>ab

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Филиал РФЯЦ ВНИИЭФ "НИИИС им. Ю.Е. Седакова", 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано влияние формирования единичного кластера радиационных дефектов на характеристики короткоканальных структур. Проведены оценки величины энергии ядерной частицы, способной сформировать кластер радиационных дефектов, вызывающий сбой и отказ работы современных кремниевых транзисторов с различными размерами рабочих областей.

Ключевые слова: короткоканальный транзистор, кластер радиационных дефектов, одиночный сбой.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52752.07

Реферативные базы данных:

•