XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN

Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Изучено влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным $\delta$-легированием. Показано, что отжиг дает дополнительные возможности для управления эффективной высотой барьера диодов, улучшения и тонкой настройки их транспортных характеристик. Термический отжиг может использоваться при изготовлении низкобарьерных диодов, предназначенных для работы при высоких температурах.

Ключевые слова: низкобарьерный диод, GaN, транспортные свойства, термический отжиг.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52749.04

Реферативные базы данных:

•