Аннотация:
Представлены результаты исследований по отработке технологических приемов формирования низкоомных контактных систем к $n$- и $p$-SiC на основе монослойных и многослойных Ni-, Al- и Ti-композиций для биполярных 4H-SiC приборов. Показано, что формирование низкоомных контактов на основе Ni к $n$-4H-SiC ($\rho_c$ = 3.6$\cdot$10$^{-4}$ Ом$\cdot$см$^2$) и Ni/Al к $p$-4H-SiC ($\rho_c$ = 5.9$\cdot$10$^{-5}$ Ом$\cdot$см$^2$) возможно в одном цикле вакуумного отжига при 1000$^\circ$С длительностью 120 с. Данное технологическое решение позволяет уменьшить количество высокотемпературных процессов.
Полный текст:
PDF файл (473 kB)