Физика полупроводниковых приборов

Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

А. М. Иванов, А. В. Клочков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено сравнение оптической мощности, внешней квантовой эффективности в InGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодах при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Исследованы спектральные плотности токового низкочастотного шума. Рассмотрены механизмы транспорта носителей, формирования низкочастотного шума, зависимости скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации при комнатной и азотной температурах.

Ключевые слова: внешняя квантовая эффективность, низкочастотный шум, транспорт носителей, туннелирование по дефектам.

Поступила в редакцию: 20.02.2022
Исправленный вариант: 24.03.2022
Принята в печать: 24.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52596.9817

Реферативные базы данных:

•