Физика полупроводниковых приборов

Размерный эффект в МОП-структурах при ионизирующем облучении

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана количественная модель размерного эффекта – зависимости плотности поверхностных состояний от размеров затвора в МОП-структурах, подвергнутых воздействию ионизирующего облучения. Полагается, что размерный эффект обусловлен выходом наружу водорода, освобождаемого с водородосодержащих дырочных ловушек, через торцы двумерной МОП-структуры. Эффект описывается системой диффузионно-кинетических уравнений, решаемых совместно с уравнением Пуассона. Влияние технологических обработок и режимов термического окисления на величину эффекта связывается с различной концентрацией водородосодержащих ловушек в подзатворном оксиде. Показано, что основной вклад в эффект дает диффузия наружу нейтральных атомов водорода, ускоренная ионизирующим облучением.

Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, поверхностные состояния, размерный эффект, моделирование.

Поступила в редакцию: 16.12.2021
Исправленный вариант: 25.01.2022
Принята в печать: 02.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52595.9786

Реферативные базы данных:

•