RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 6, страницы 576–579 (Mi phts7062)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Многослойная сенсорная структура на основе пористого кремния

В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, К. Е. Ивлев

Омский научный центр СО РАН, 644024 Омск, Россия

Аннотация: Работа посвящена созданию сенсорной структуры на основе мембраны пористого кремния. В исследуемой структуре интегрированный пористый слой используется как газотранспортный слой и газочувствительный слой нестехиометрического оксида олова. В работе исследованы морфология структуры и показана газопроницаемость мембраны на пористом кремнии. Исследована газовая чувствительность полученной тестовой структуры при пропускании газовоздушной смеси, содержащей NO$_2$.

Ключевые слова: пористый кремний, мембрана, нестехиометрический оксид олова, тонкие пленки, резистивный газовый сенсор.

Поступила в редакцию: 24.02.2022
Исправленный вариант: 02.03.2022
Принята в печать: 02.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52592.9819



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026