Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$

Р. А. Кастро Арата^a, Г. И. Грабко^b, А. А. Кононов^a, Н. И. Анисимова^a, М. Крбал^c, А. В. Колобов<sup>a

a</sup> Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
^c Университет Пардубице, 530 02 Пардубице, Чехия

Аннотация: Представлены результаты исследования поляризационных свойств тонких слоев стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, энергия активации которого оказалась равной $E_a$ = (0.97 $\pm$ 0.14) эВ. Выявлено, что перенос заряда в исследуемой гибридной системе Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$ является термически активированным процессом с энергией активации, равной $E_a$ = (0.4 $\pm$ 0.01) эВ. Результаты расчетов позволяют заключить, что стеклообразующая способность системы (Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$)$_{100-x}$Fe$_x$ линейно уменьшается с увеличением доли металла в структуре стекла.

Ключевые слова: прыжковый механизм переноса, тонкие слои, стеклообразная гибридная система, неподеленные электронные пары.

Поступила в редакцию: 24.02.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52589.9843

Реферативные базы данных:

•