Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Размерное моделирование синтеза и проводимости коллоидных квантовых точек

Н. Д. Жуков^a, М. В. Гавриков^ab, С. Н. Штыков<sup>b

a</sup> ООО "НПП Волга", 410033 Саратов, Россия
^b Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия

Аннотация: На примере синтезированных ранее коллоидных квантовых точек (QD) ряда полупроводников CdSe, PbS, HgSe, InSb определены предельные размеры нанокристаллов совершенной структуры при их синтезе в зависимости от соотношений их объемной и поверхностной энергии, которые могут варьироваться от 6 нм для QD-InSb до 17 нм для QD-CdSe. Проводимость одиночных квантовых точек в межэлектродном нанозазоре является одноэлектронной, а их вольт-амперная характеристика имеет области электронного туннелирования через потенциальные барьеры, кулоновского ограничения тока и резонансные пики квантовой проводимости. Определены размерные соотношения и построены номограммы связи размерных параметров для обеспечения условий квантовой проводимости. Обосновано предположение о терагерцовых осцилляциях тока.

Ключевые слова: квантовая точка, нанокристалл, коллоидный синтез, монокристаллическая структура, размерные соотношения, квантовая размерность, одноэлектронная проводимость, квантовая проводимость, квантовый осциллятор.

Поступила в редакцию: 24.01.2022
Исправленный вариант: 14.02.2022
Принята в печать: 14.02.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52588.9809

Реферативные базы данных:

•