Аннотация:
Исследовано влияние мощности накачки на интенсивность фотолюминесценции центров дислокационной люминесценции в кремнии $p$-типа проводимости, содержащем кислородные преципитаты. Кислородные преципитаты формировались в результате трехступенчатого отжига, используемого для создания геттера быстро диффундирующих примесей в технологии микроэлектроники, а центры дислокационной люминесценции D1 и D2 создавались в процессе последующего отжига при 1000$^\circ$C в потоке аргона. Измерены эффективности возбуждения фотолюминесценции D1 и D2 линий при температуре жидкого гелия.