RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 6, страницы 542–545 (Mi phts7055)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами

Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние мощности накачки на интенсивность фотолюминесценции центров дислокационной люминесценции в кремнии $p$-типа проводимости, содержащем кислородные преципитаты. Кислородные преципитаты формировались в результате трехступенчатого отжига, используемого для создания геттера быстро диффундирующих примесей в технологии микроэлектроники, а центры дислокационной люминесценции D1 и D2 создавались в процессе последующего отжига при 1000$^\circ$C в потоке аргона. Измерены эффективности возбуждения фотолюминесценции D1 и D2 линий при температуре жидкого гелия.

Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, кислородные преципитаты, эффективность возбуждения фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52585.9832



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026