Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей

С. Н. Аболмасов^a, А. С. Абрамов^ab, В. Н. Вербицкий^ab, Г. Г. Шелопин^a, А. В. Кочергин^ac, Е. И. Теруков<sup>abc

a</sup> НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, 194064 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлен сравнительный анализ различных методов формирования медной (Cu) контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей (SHJ ФЭП) в качестве альтернативы стандартному методу трафаретной печати с использованием дорогостоящих серебросодержащих (Ag) паст. Показано, что использование струйной печати для формирования защитных диэлектрических масок на основе органического полимера и тонких буферных металлических слоев для роста Cu-контактной сетки методом электрохимического осаждения позволяет формировать контактную сетку необходимой формы, обладающую достаточной адгезией к поверхности SHJ ФЭП. Используя данный метод, были изготовлены двусторонние SHJ ФЭП (размером 157 $\times$ 157 мм) с Cu-контактной сеткой, демонстрирующие кпд = 22.9% и уровень адгезии 3–5 Н/мм по сравнению с 22.6% и 1.5–2 Н/мм при использовании аналогичной контактной сетки на основе Ag-пасты.

Ключевые слова: солнечная энергетика, монокристаллический кремний, гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь, медная контактная сетка, электрохимическое осаждение, трафаретная и струйная печать.

Поступила в редакцию: 09.12.2021
Исправленный вариант: 10.01.2022
Принята в печать: 10.01.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52356.9787

Реферативные базы данных:

•