RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 5, страницы 508–515 (Mi phts7048)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии

Е. В. Куницынаa, И. А. Андреевa, Г. Г. Коноваловa, А. А. Пивовароваa, Н. Д. Ильинскаяa, Ю. П. Яковлевa, Я. Я. Понуровскийb, А. И. Надеждинскийb, А. С. Кузьмичевb, Д. Б. Ставровскийb, М. В. Спиридоновb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрены отечественные неохлаждаемые фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb, которые могут применяться в прецизионной диодной лазерной спектроскопии. Диапазон спектральной чувствительности фотоприемников с диаметром фоточувствительной площадки 1.0 и 2.0 мм составляет 1.0–2.4 мкм. Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 2.1 мкм имеет значение 1.0 А/Вт без смещения. Емкость достигает 375 пФ при диаметре площадки 1.0 мм и 800–5000 пФ при 2 мм. Представлены современные газоанализаторы на основе диодных лазеров и GaInAsSb/GaAlAsSb-фотоприемников для медицинской скрининговой диагностики заболеваний по выдыхаемым компонентам воздуха, контроля примесных газов в процессе ректификационной очистки неорганических гидридов, контроля утечек метана в газовых трубопроводах, а также для регистрации выхлопных газов движущегося автомобиля.

Ключевые слова: фотоприемник, гетероструктура, диодная лазерная спектроскопия, газоанализатор.

Поступила в редакцию: 03.02.2022
Исправленный вариант: 10.02.2022
Принята в печать: 10.02.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52355.9813



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026