RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 5, страницы 486–490 (Mi phts7043)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Основные эффекты кислородных центров в оптике А$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

Н. К. Морозоваa, И. И. Аббасовb

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», 111250 Москва, Россия
b Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, AZ1010 Баку, Азербайджан

Аннотация: На основании проведенных исследований в работе показано, что влияние кислорода на оптические свойства кристаллов А$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ определяется тремя основными эффектами. Это – образование системы связанных экситонов, сопровождающих присутствие больших концентраций кислорода на дефектах упаковки, длинноволновый сдвиг на сотни мэВ от края поглощения и третий эффект определяется возникновением широкополосного “самоактивированного” SA-свечения в прикраевой области спектра. В работе введены представления о неравномерном распределении изоэлектронных кислородных центров в объеме кристаллов как вследствие преимущественной сегрегации их на дефектах упаковки, так и в этих слоях. Для анализа экспериментальных данных использовались возможности построения зонных моделей, которые объединяют обширную и разностороннюю информацию о конкретных образцах. Представлена уточненная модель мультизоны CdS $\cdot$ O с дефектами упаковки. Описаны условия и возможность совместного или раздельного наблюдения этих особенностей в спектрах разных кристаллов А$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и использования их для создания лазеров.

Ключевые слова: зонная модель, связанные экситоны, край дополнительного поглощения, дефекты упаковки, точечные дефекты, теория антипересекающихся зон, лазерный эффект.

Поступила в редакцию: 26.12.2021
Исправленный вариант: 10.01.2022
Принята в печать: 10.01.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52350.9793



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026