Электронные свойства полупроводников

Фотопроводимость монокристаллов слоистого полупроводника $p$-GaSe, легированного редкоземельными элементами, и многодиапазонный фотоприемник света на их основе

А. Ш. Абдинов^a, Р. Ф. Бабаева<sup>b

a</sup> Бакинский государственный университет, Az1145 Баку, Республика Азербайджан
^b Азербайджанский государственный экономический университет, Az1001 Баку, Республика Азербайджан

Аннотация: Экспериментально исследованы основные характеристики собственной фотопроводимости и спектры отрицательной фотопроводимости, индуцированной примесной фотопроводимости, инфракрасного гашения собственной фотопроводимости в легированных редкоземельными элементами (гадолинием и диспрозием) при $N$ = 0–10$^{-1}$ ат% монокристаллах $p$-GaSe. Показано, что нестабильность и невоспроизводимость фотоэлектрических характеристик этого полупроводника обусловлены флуктуацией электронного потенциала, связанной с наличием случайных макроскопических дефектов. Зависимость фотоэлектрических параметров и характеристик от $N$, а также обеспечение высокой степени их стабильности и воспроизводимости при $N\approx$ 10$^{-1}$ ат% связаны соответствующими изменениями флуктуаций электронного потенциала и доли ковалентной связи между слоями в зависимости от $N$. Показана возможность создания многодиапазонного фотоприемника света со стабильными, воспроизводимыми параметрами и характеристиками на основе $p$-GaSe, легированного редкоземельными элементами при $N$ = 10$^{-2}$–10$^{-1}$ ат%.

Ключевые слова: оптоэлектроника, межслойная связь, спектральное распределение, кинетика, макроскопические дефекты, матрица, стабильность, воспроизводимость.

Поступила в редакцию: 26.04.2018
Исправленный вариант: 11.12.2021
Принята в печать: 15.12.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52346.8902

Реферативные базы данных:

•