Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Кинетика IV $\to$ III полиморфного превращения в монокристаллах Rb$_{1-x}$Cs$_x$NO$_3$ ($x$ = 0.025, 0.05, 0.1)

А. Ф. Хазиева^a, В. И. Насиров^ab, Ю. И. Алыев^b, А. Г. Джабаров<sup>bc

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, AZ1143 Баку, Азербайджан
^b Азербайджанский государственный педагогический университет, AZ1000 Баку, Азербайджан
^c Азербайджанский государственный экономический университет, AZ1001 Баку, Азербайджан

Аннотация: Методом оптической микроскопии измерена скорость роста кристаллов III-модификации от температуры при превращении IV $\to$ III в монокристаллах Rb$_{1-x}$Cs$_x$NO$_3$ ($x$ = 0.025, 0.05, 0.1). Показано, что скорость роста кристаллов III-модификации в зависимости от температуры при превращении IV $\to$ III описывается эмпирической формулой $v_{\mathrm{IV}\to\mathrm{III}}$ = (-0.486 $\Delta T$+0.592$\Delta T^2$-0.0015$\Delta T^3$)$\cdot$10$^{-2}$ см/с для $x$ = 0.025, $v_{\mathrm{IV}\to\mathrm{III}}$ = (-0.49$\Delta T$+0.563$\Delta T^2$-0.0018$\Delta T^3$)$\cdot$10$^{-2}$ см/с для $x$ = 0.005 и $v_{\mathrm{IV}\to\mathrm{III}}$ = (-0.437$\Delta T$+0.484$\Delta T^2$-0.0014$\Delta T^3$)$\cdot$10$^{-2}$см/с для $x$ = 0.1, где $\Delta T=T_{\mathrm{tr}}+T_0$. Вычислена энергия активации процесса IV $\to$ III превращения, которая равна $E$ = 85.5 кДж/моль для $x$ = 0.025, $E$ = 82.8 кДж/моль для $x$ = 0.005 и $E$ = 84.8 кДж/моль для $x$ = 0.1.

Ключевые слова: кристаллы, полиморфные превращения, энергия активации.

Поступила в редакцию: 29.12.2021
Исправленный вариант: 10.01.2022
Принята в печать: 10.01.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52345.9796

Реферативные базы данных:

•