Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Переход от экспоненциального к линейному возрастанию плотности энергии спектральной компоненты пикосекундного стимулированного излучения GaAs при насыщении усиления

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия

Аннотация: В начале мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_x$Ga$_{1-x}$As в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Возрастание со временем плотности энергии каждой спектральной компоненты излучения в ее активной среде происходит экспоненциально до насыщения усиления, далее возрастание линейное. В настоящей работе экспериментально определено, в зависимости от каких параметров спектральной компоненты излучения и по какому закону меняется: (а) время (отсчитываемое от начала стимулированного излучения), через которое происходит переход от экспоненциального возрастания к линейному; (б) плотность энергии компоненты в “момент” перехода; (в) коэффициент усиления на этапе линейного возрастания плотности энергии. В Заключении суммируются явления при насыщении усиления, обнаруженные в наших работах.

Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда, скорость вынужденной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 01.12.2021
Исправленный вариант: 25.12.2021
Принята в печать: 27.12.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52194.9781

Реферативные базы данных:

•