RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 4, страницы 383–388 (Mi phts7027)

Детектор терагерцового излучения на основе термоэлектрического материала Bi$_{88}$Sb$_{12}$

Е. С. Макароваa, А. В. Асачa, И. Л. Тхоржевскийa, А. Д. Седининa, Д. В. Зыковa, А. Д. Зайцевa, П. С. Демченкоa, М. Г. Новоселовa, В. А. Комаровb, А. С. Тукмаковаa, А. В. Новотельноваa, Н. С. Каблуковаac, М. К. Ходзицкийa

a Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный университет промышленных технологий и дизайна, 191186 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Излучение терагерцового диапазона частот перспективно для визуализации, детектирования и передачи данных. Общим для всех этих применений является проблема поиска высокочувствительного, быстродействующего, компактного терагерцового детектора, работающего при комнатной температуре. Поэтому в настоящий момент стоит проблема поиска новых материалов для использования в системах детектирования терагерцового излучения. Значительным потенциалом для решения данной проблемы обладают термоэлектрические материалы на основе твердых растворов висмута и сурьмы. В данной работе впервые исследован отклик в пленках толщиной 70 и 150 нм из термоэлектрического материла Bi$_{88}$Sb$_{12}$ при воздействии терагерцового излучения на частоте 0.14 ТГц.

Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоотклик, висмут, сурьма, термоэлектрические материалы, тонкие пленки.

Поступила в редакцию: 24.09.2021
Исправленный вариант: 20.11.2021
Принята в печать: 20.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52192.7a



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026