Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей

А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования и моделирование процесса электрохимического наращивания омических контактов при проведении постростовой технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей. Разработана технология гальванического осаждения контактной системы Ag/Au при вертикальном и горизонтальном расположении гетероструктуры и анода в электролите. Достигнуто увеличение равномерности осаждения контактной системы до величины $\sim$ 95% при толщине контактных шин $\sim$ 5 мкм на площади гетероструктуры диаметром до 10 см.

Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, омические контакты, электрохимическое осаждение.

Поступила в редакцию: 17.11.2021
Исправленный вариант: 25.11.2021
Принята в печать: 25.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52127.9774

Реферативные базы данных:

•