Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Термоэлектрические и мемристивные особенности структур Sb$_2$Te$_3$/Sb$_2$S$_3$/Sb$_2$Te$_3$ и Ag/Sb$_2$Te$_3$/Ag

А. Папикян^a, С. Арутюнян^ab, Н. Агамалян^ab, Р. Овсепян^ab, А. Хачатурова^b, С. Петросян^ab, Г. Бадалян^b, Е. Кафадарян<sup>ab

a</sup> Российско-Армянский университет, 0051 Ереван, Армения
^b Институт физических исследований НАН Армении, 0203 Аштарак, Армения

Аннотация: Получены однослойные пленки Sb$_2$Te$_3$ и трехслойные структуры Sb$_2$Te$_3$/Sb$_2$S$_3$/Sb$_2$Te$_3$ методом термического вакуумного напыления и исследованы их термоэлектрические характеристики в широком диапазоне температур (5–350 K). Показано, что проводимость структуры Sb$_2$Te$_3$/Sb$_2$S$_3$/Sb$_2$Te$_3$ имеет полупроводниковый характер, удельное сопротивление превышает на порядок сопротивление пленки Sb$_2$Te$_3$; коэффициент Зеебека Sb$_2$Te$_3$/Sb$_2$S$_3$/Sb$_2$Te$_3$ соответственно в 1.5 и 3 раза превышает коэффициент Зеебека пленки и монокристаллического Sb$_2$Te$_3$. Вольт-амперные характеристики пленки Sb$_2$Te$_3$ проявляют мемристивные свойства с униполярным резистивным переключением, тогда как структуру Sb$_2$Te$_3$/Sb$_2$S$_3$/Sb$_2$Te$_3$ можно рассматривать как мемристор с параллельно подключенной емкостью.

Ключевые слова: Sb$_2$S$_3$, Sb$_2$Te$_3$, пленки, ВАХ, коэффициент Зеебека, мемристор.

Поступила в редакцию: 11.11.2021
Исправленный вариант: 16.11.2021
Принята в печать: 16.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52126.9770

Реферативные базы данных:

•