RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 3, страницы 350–356 (Mi phts7022)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние условий осаждения из паров металлоорганических соединений на получение эпитаксиальных слоев $n$-CdTe с использованием изопропилиодида

А. Н. Моисеев, В. С. Евстигнеев, А. В. Чилясов, М. В. Костюнин

Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, 603951 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано вхождение иода из изопропилиодида в слои CdTe в процессе металлоорганической парофазной эпитаксии в зависимости от условий осаждения. Рост слоев вели из паров диметилкадмия (ДМК) и диэтилтеллура (ДЭТ) в потоке водорода в вертикальном реакторе с зоной предварительного распада при общем давлении 20 кПа. Общую концентрацию иода определяли методом вторичной ионной масс-спектрометрии, электрически активную концентрацию – из измерения эффекта Холла. Вхождение иода зависит от кристаллографической ориентации подложки (изучены (100), (310), (111)А, (111)В, (211)А и (211)В), концентрации легирующего прекурсора (интервал потоков 5$\cdot$10$^{-8}$–3$\cdot$10$^{-6}$ моль/мин), соотношения металлоорганических соединений (ДМК/ДЭТ = 0.25–4), температуры роста (335–390$^\circ$C) и стенок реактора выше пьедестала (зона прекрекинга 290–320$^\circ$С). Общая концентрация иода достигала 5$\cdot$10$^{18}$ см$^{-3}$, а степень его активации $\sim$ 4%. После последующего термического отжига в парах кадмия при 500$^\circ$C степень активации повышалась до $\sim$ 100%.

Ключевые слова: эпитаксиальные слои, металлоорганическая парофазная эпитаксия, CdTe, легирование иодом, изопропилиодид, термический отжиг.

Поступила в редакцию: 12.11.2021
Исправленный вариант: 15.11.2021
Принята в печать: 15.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52123.9767



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026