Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

С. Н. Гарибова^ab, А. И. Исаев^a, С. И. Мехтиева^a, С. У. Атаева^a, Р. И. Алекперов<sup>ac

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, Az1143 Баку, Азербайджан
^b Университет Хазар, Департамент физики и электроники, Az1096 Баку, Азербайджан
^c Азербайджанский государственный экономический университет (UNEC), Az1001 Баку, Азербайджан

Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и рамановской спектроскопии исследованы особенности фазовых переходов “аморфное состояние–кристалл” в зависимости от способа получения образцов и термообработки, а также изменения структуры и ближнего порядка в расположении атомов халькогенидного полупроводника Ge$_{20}$Sb$_{20.5}$Te$_{51}$. Показано, что пленки Ge$_{20}$Sb$_{20.5}$Te$_{51}$, полученные термическим испарением на неподогреваемой подложке, являются аморфными, прошедшие термообработку при 220 и 400$^\circ$C переходят в кристаллическую фазу c кубической и гексагональной структурой. Определены химические cвязи и основные структурные элементы, образующие матрицу исследованных объектов, а также изменения, происходящие в них при термообработке.

Ключевые слова: халькогенидные полупроводники, локальная структура, фазовый переход, рамановская спектроскопия.

Поступила в редакцию: 15.09.2021
Исправленный вариант: 23.10.2021
Принята в печать: 23.10.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52113.9744

Реферативные базы данных:

•