Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Б. Р. Семягин^a, А. В. Колесников^a, М. А. Путято^a, В. В. Преображенский^a, Т. Б. Попова^b, В. И. Ушанов^b, В. В. Чалдышев<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои твердых растворов GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ с содержанием висмута 0 $<x<$ 0.02. Изучены структурные и оптические свойства слоев. Определено влияние потока висмута и температуры подложки на захват висмута в выращиваемые слои.

Ключевые слова: арсенид галлия, висмут, молекулярно-лучевая эпитаксия, ширина запрещенной зоны.

Поступила в редакцию: 08.11.2021
Исправленный вариант: 12.11.2021
Принята в печать: 12.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52111.9764

Реферативные базы данных:

•