Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Н. В. Середова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Сообщается о росте неполярных $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ структур методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием буферного слоя $\mathrm{AlN}$, синтезированного методом эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$. Показано, что упругие напряжения в структуре $\mathrm{GaN}(11\bar20)$/$r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ в направлении осей “c” и “a” слоя различаются, коррелируют с величинами полуширин кривых качания спектров рентгеновской дифракции в этих направлениях и обусловлены анизотропией коэффициентов термического расширения решеток как слоя, так и подложки.

Ключевые слова: неполярный нитрид алюминия, анизотропия напряжений в слое.

Поступила в редакцию: 18.10.2021
Исправленный вариант: 10.11.2021
Принята в печать: 10.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52108.9758

Реферативные базы данных:

•