Физика полупроводниковых приборов

МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$

А. Э. Климов^ab, В. А. Голяшов^ac, Д. В. Горшков^a, Е. В. Матюшенко^a, И. Г. Неизвестный^ab, Г. Ю. Сидоров^a, Н. С. Пащин^a, С. П. Супрун^a, О. Е. Терещенко<sup>ac

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
^c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Приведены результаты работы по созданию и исследованию свойств структур транзисторного типа металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с тонкопленочным подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$. Исследованы исток-стоковые вольт-амперные характеристики и затворные характеристики структур при температуре $T$ = 4.2 K. Показано, что в структурах металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленок PbSnTe : In с концентрацией $n\sim$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ при $T$ = 4.2 K модуляция тока канала достигает 7–8% в области затворных напряжений -10 $<U_\text{gate}<$ +10 В. Рассмотрены особенности вольт-амперных характеристик исток-сток и затворных характеристик при импульсном и пилообразном изменении напряжения на затворе $U_\text{gate}$.

Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, МДП структура, Al$_2$O$_3$.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51969.30

Реферативные базы данных:

•