RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2, страницы 169–172 (Mi phts6990)

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Оптическое поглощение, связанное с межзонными и межподзонными переходами электронов в теллуриде висмута

А. Н. Вейсa, Л. Н. Лукьяноваb, О. А. Усовb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: При температурах 205 и 300 K исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения $\alpha$ в субмикронных образцах топологического изолятора $n$-Bi$_2$Te$_3$+CdBr$_2$, обладающих при высоких значениях коэффициента Зеебека оптимальными термоэлектрическими свойствами при температурах ниже комнатной. Выявлены и проанализированы составляющие спектров оптического поглощения, связанные с межзонными и межподзонными переходами электронов. Установлено, что в теллуриде висмута при понижении температуры оптические переходы электронов на пороге межзонного поглощения остаются прямыми и разрешенными. Оценены величины энергетических зазоров между абсолютными экстремумами зоны проводимости и валентной зоны, а также между основной и дополнительной подзонами зоны проводимости. Показано, что скорости их изменения с температурой противоположны по знаку. Построена энергетическая схема Bi$_2$Te$_3$, отвечающая экспериментальным данным.

Ключевые слова: теллурид висмута, топологический изолятор, оптическое поглощение, межзонные и межподзонные переходы, энергетическая зонная схема.

Поступила в редакцию: 20.10.2021
Исправленный вариант: 25.10.2021
Принята в печать: 25.10.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51956.29



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026