Физика полупроводниковых приборов

Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС

А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, К. С. Жидяев, В. Е. Котомина, И. В. Самарцев

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано влияние на блокирующую способность GaAs тиристорных мезаструктур сульфидной пассивации (химической обработки в перекисно-серном травителе и в растворе Na$_2$S в изопропаноле) и усложнения профиля боковой поверхности мез. Показано, что блокирующее напряжение чипов возрастает в несколько раз как после химической обработки поверхности, так и при усложнении топологии поверхности.

Ключевые слова: тиристоры, блокирующее напряжение, сульфидная пассивация, арсенид галлия, мезаструктура.

Поступила в редакцию: 25.08.2021
Исправленный вариант: 14.09.2021
Принята в печать: 14.09.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51824.9732

Реферативные базы данных:

•