Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние параллельного слоям магнитного поля на фототок в GaAs/AlAs $p$–$i$–$n$-структурах

И. А. Ларкин, Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Изучено поведение фототока в GaAs/AlAs $p$–$i$–$n$-гетероструктурах в магнитном поле, параллельном гетерослоям в диапазоне длин волн от 395 до 650 нм. Обнаружена сильная зависимость неосциллирующей компоненты фототока от длины волны излучения, связанная с подавлением диффузионного тока магнитным полем. Показано, что поведение осциллирующей составляющей фототока в магнитном поле не зависит от длины волны света и определяется переносом электронов через уровень размерного квантования в треугольной прибарьерной яме. Установлено, что подавление осциллирующей компоненты магнитным полем обусловлено размазкой уровня в треугольной яме за счет движения электронов параллельно стенкам ямы и перпендикулярно магнитному полю.

Ключевые слова: гетероструктуры, фотопропроводимость, магнитотуннелирование.

Поступила в редакцию: 07.09.2021
Исправленный вариант: 16.09.2021
Принята в печать: 16.09.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51820.9738

Реферативные базы данных:

•