RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 1, страницы 85–96 (Mi phts6976)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD–ZnSe

В. П. Калинушкинa, А. А. Гладилинa, О. В. Уваровa, С. А. Мироновa, В. А. Чапнинa, М. И. Студеникинa, Н. Н. Ильичевa, Е. М. Гаврищукb, С. А. Родинb, Н. А. Тимофееваb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, 603951 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследуется влияние атмосферы отжигов CVD–ZnSe, проводимых в режимах, близких к процедуре их легирования железом, на люминесцентные характеристики этих кристаллов. Обнаружено, что отжиги в атмосфере аргона и селена приводят к качественному изменению примесно-дефектного состава и к сложному пространственному распределению люминесцентных характеристик CVD–ZnSe, особенно в области кристалла на расстоянии до 400 мкм от поверхности. В случае отжига цинка его люминесцентные характеристики более однородны, за исключением приповерхностной зоны шириной 100 мкм, имеющей высокую интенсивность люминесценции во всем исследуемом спектральном диапазоне (0.44–0.72 мкм). Полученные результаты интерпретируются на основе предположения об испарении цинка при отжиге в аргоне и селене. На основе анализа пространственного распределения люминесценции делаются предположения о природе наблюдаемых примесно-дефектных центров.

Ключевые слова: двухфотонная конфокальная микроскопия, CVD–ZnSe, примесно-дефектный состав, высокотемпературный отжиг.

Поступила в редакцию: 20.08.2021
Исправленный вариант: 27.08.2021
Принята в печать: 27.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51817.9731



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026