Электронные свойства полупроводников

Особенности магнитных осцилляций в монокристалле HgSe с примесями кобальта низкой концентрации ($<$ 1 ат%)

А. И. Вейнгер^a, И. В. Кочман^a, В. И. Окулов^b, Т. Е. Говоркова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования осцилляций магнитосопротивления в монокристалле HgSe с примесями кобальта низкой концентрации ($<$ 1 ат%). Обнаружено, что при таких концентрациях примесей ($\sim$10$^{18}$ см$^{-3}$) наблюдаются два вида магнитных осцилляций: осцилляции Шубникова–де-Гааза при низких температурах ($T<$10 K) и магнитофононные осцилляции при температурах ($T>$ 10 K). Первые из них обусловлены взаимодействием с магнитным полем внутри подзоны Ландау, а вторые - взаимодействием с продольными оптическими фононами. Продемонстрированы различия в свойствах этих видов осцилляций. Сделаны предположения о возможном происхождении магнитофононных осцилляций в этих структурах.

Ключевые слова: 3$d$-примеси низкой концентрации, бесщелевые полупроводники, магнитофононные осцилляции, осцилляции ШдГ, оптические и акустические фононы.

Поступила в редакцию: 21.07.2021
Исправленный вариант: 18.08.2021
Принята в печать: 10.09.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51814.9718

Реферативные базы данных:

•