Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона

М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней плавных высоковольтных диодов $p^+$–$p^0$–$i$–$n^0$-GaAs, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии при температурах начала кристаллизации 900$^\circ$С из одного раствора-расплава за счет автолегирования фоновыми примесями, в атмосфере водорода или аргона, до облучения нейтронами и после. После облучения нейтронами в спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружены широкие зоны кластера дефектов с акцептороподобными отрицательно заряженными ловушками в $n^0$-слое, возникающие в результате эмиссии электронов из состояний, расположенных выше середины запрещенной зоны. Обнаружено, что различия вольт-фарадных характеристик структур, выращенных в атмосфере водорода и аргона, обусловлены разными дозами облучения $p^+$–$p^0$–$i$–$n^0$-структур и разной степенью компенсации мелких донорных примесей глубокими ловушками в слоях.

Ключевые слова: GaAs, нейтронное облучение, емкостная спектроскопия, $p^0$–$i$–$n^0$-переход, жидкофазная эпитаксия, водород, аргон.

Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 27.08.2021
Принята в печать: 27.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51812.9729

Реферативные базы данных:

•