XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Сканирующая туннельная микроскопия в халькогенидных термоэлектриках (Bi, Sb)$_2$(Te, Se, S)$_3$

Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследования морфологии межслоевой поверхности (0001) были проведены методом сканирующей туннельной микроскопии в твердых растворах $n$-Bi$_{1.6}$Sb$_{0.4}$Te$_{2.94}$Se$_{0.06}$, $n$-Bi$_{1.8}$Sb$_{0.2}$Te$_{2.82}$Se$_{0.09}$S$_{0.09}$, $p$-Bi$_{0.8}$Sb$_{1.2}$Te$_{2.91}$Se$_{0.09}$ и $p$-Bi$_{0.7}$Sb$_{1.3}$Te$_{2.91}$Se$_{0.09}$. На поверхности (0001) были обнаружены примесные и собственные дефекты (вакансии теллура, антиструктурные дефекты, адатомы), образующиеся в исследуемых составах вследствие замещения атомов в подрешетках Bi$_2$Te$_3$. Определены средние значения HM и среднеквадратичные отклонения HS по высоте в распределении атомов на поверхности в зависимости от состава твердого раствора. Установлено влияние обнаруженных дефектов на термоэлектрические свойства твердых растворов.

Ключевые слова: теллурид висмута, твердые растворы, сканирующая туннельная микроскопия, примесные и собственные дефекты, коэффициент Зеебека.

Поступила в редакцию: 19.09.2021
Исправленный вариант: 24.09.2021
Принята в печать: 24.09.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51806.22

Реферативные базы данных:

•