Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Модель пробоя МОП-структур по механизму анодного освобождения водорода

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена количественная модель пробоя МОП-структур с относительно толстым (10–100 нм) подзатворным диэлектриком по механизму анодного освобождения водорода с межфазной границы Si–SiO$_2$. Время задержки пробоя определяется дисперсионным транспортом и накоплением ионов водорода в подзатворном диэлектрике. Показано, что при высокой концентрации водорода в МОП-структурах и напряженности электрического поля менее $\sim$10 МВ/см модель удовлетворительно описывает времена задержки пробоя, значительно меньшие, чем ожидаемые по $1/E$ модели. При бoльших напряженностях поля пробой описывается моделью анодной дырочной инжекции.

Ключевые слова: МОП-структура, пробой, анодное освобождение водорода, анодная дырочная инжекция.

Поступила в редакцию: 24.09.2023
Исправленный вариант: 09.10.2023
Принята в печать: 21.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.09.56995.5583

Реферативные базы данных:

•