Физика и техника полупроводников,
2023, том 57, выпуск 9,страницы 779–783(Mi phts6959)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Применение метода рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границе квантовой ямы в лазерных структурах на основе системы AlGaAs/GaAs
Аннотация:
Представлена возможность применения методики рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границах квантовой ямы в гетероструктурах на основе AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Показано, что эта методика применим на этапе отработки активной области. Подобраны параметры снятия рефлектометрических кривых. Измерены градиентные составы в экспериментальном образце.