RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 9, страницы 779–783 (Mi phts6959)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Применение метода рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границе квантовой ямы в лазерных структурах на основе системы AlGaAs/GaAs

А. В. Березуцкий, Г. Т. Микаелян, С. Д. Таривердиев

ООО "Лассард", 249032 Обнинск, Россия

Аннотация: Представлена возможность применения методики рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границах квантовой ямы в гетероструктурах на основе AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Показано, что эта методика применим на этапе отработки активной области. Подобраны параметры снятия рефлектометрических кривых. Измерены градиентные составы в экспериментальном образце.

Ключевые слова: рентгеновская рефлектометрия, квантовая яма, гетерогнаница, переходный слой, GaAs.

Поступила в редакцию: 31.05.2023
Исправленный вариант: 14.06.2023
Принята в печать: 12.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.09.56994.5279



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026