Физика полупроводниковых приборов

Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик

Ф. И. Зубов^a, Ю. М. Шерняков^b, А. А. Бекман^b, Э. И. Моисеев^a, Ю. А. Салий (Гусева)^ab, М. М. Кулагина^b, Н. А. Калюжный^b, С. А. Минтаиров^b, А. В. Николаев^b, Е. В. Шерстнев^b, М. В. Максимов<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена методика определения температуры лазерного диода, работающего в непрерывном режиме, а также теплового сопротивления прибора посредством сопоставления его вольт-амперной характеристики с импульсными вольт-амперными характеристиками, измеренными при различных температурах. Методика апробирована для $\varnothing$200 мкм полудискового микролазера с активной областью на основе квантовых точек InGaAs/GaAs. Установлено, что при токах, соответствующих пиковой лазерной мощности и гашению лазерной генерации ввиду перегрева активной области, температура прибора достигает 101 и 149$^\circ$C соответственно. Тепловое сопротивление лазера составило 110 K/Вт.

Ключевые слова: полудисковый микролазер, температура лазера, тепловое сопротивление, квантовые точки, лазерные диоды.

Поступила в редакцию: 17.11.2023
Исправленный вариант: 20.11.2023
Принята в печать: 01.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.09.56992.5765

Реферативные базы данных:

•