Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Трибоэлектрическая генерация при трении высоколегированных алмазных зондов о поверхность $p$-Si

П. А. Алексеев, Д. Д. Сахно, М. С. Дунаевский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовалась генерация трибоэлектрического тока при трении алмазных зондов сканирующего зондового микроскопа о поверхность $p$-Si-подложек со слоем естественного оксида. Выбор зондов с различным типом легирования, а также подложек с различной ориентацией поверхности позволил установить определяющее влияние разности работ выхода зонда и поверхности на направление и силу трибоэлектрического тока. Генерация трибоэлектрического тока происходит за счет туннелирования неравновесных носителей заряда, возникающих вследствие разрушения химических связей при трении. В условиях освещения наблюдалось увеличение трибоэлектрического тока, а также возникновение фототока за счет разделения носителей заряда в области пространственного заряда.

Ключевые слова: трибоэлектричество, трибоэлектрическая генерация, кремний, легированный алмаз, туннелирование, фототок.

Поступила в редакцию: 27.10.2023
Исправленный вариант: 20.11.2023
Принята в печать: 22.11.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.09.56986.5701

Реферативные базы данных:

•