Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника

А. М. Титова, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, Н. А. Алябина, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001) были выращены методом HW CVD и in situ легированы Ga или Sb с использованием резистивно нагреваемого Ge-источника, содержащего одну из этих примесей. При сублимации германиевого источника получали концентрацию атомов галлия в слоях $\sim$1$\cdot$10$^{19}$ см$^{-3}$. Режим внедрения этой примеси в эпитаксиальные слои был исследован в зависимости от температуры “горячей нити” (Ta) и температуры роста с использованием методов $C$–$V$-профилометрии и эффекта Холла. Для увеличения предельной концентрации носителей заряда в слоях Ge/Si(001) в процессе роста слоев на Ge-источнике формировали зону расплава, что позволило увеличить концентрацию примеси в слое Ge почти на порядок величины.

Ключевые слова: гетероэпитаксиальные слои, испарение сублимацией, HW CVD, Si, Ge, $n$- и $p$-тип легирования.

Поступила в редакцию: 19.09.2023
Исправленный вариант: 05.12.2023
Принята в печать: 06.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.09.56985.5571

Реферативные базы данных:

•