Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур

А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложен способ травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур с помощью нового прецезионного травителя HBr : KMnO$_4$ с низкой постоянной скоростью травления. Изменение соотношения компонентов травителя дает возможность задавать скорость травления в диапазоне 0.1–1.6 мкм/мин без ухудшения качества боковой поверхности мезаструктуры. Применение HBr : KMnO$_4$ при создании InAs/InAsSbP-фотодиодов позволило снизить обратные темновые токи и уменьшить разброс их величины от прибора к прибору. Образцы с диаметром чувствительной площадки 300 мкм демонстрируют минимальную плотность тока $j$ = 5.7$\cdot$10$^{-2}$ А/см$^2$ и типичную – $j$ = 15.5$\cdot$10$^{-2}$ А/см$^2$. Максимальное значение $R_0$ при комнатной температуре составляет 1654 Ом, при этом $R_0A$ – 1.17 Ом·см$^2$.

Ключевые слова: травитель, арсенид индия, фотодиод, обратные темновые токи, дифференциальное сопротивление.

Поступила в редакцию: 04.07.2023
Исправленный вариант: 25.10.2023
Принята в печать: 04.11.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56972.5391

Реферативные базы данных:

•