Физика полупроводниковых приборов

Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками

М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние уменьшения при понижении температуры, темпов тепловых выбросов носителей в различных каналах на ток насыщения GaAs $p$–$n$-перехода с Ga$_{0.8}$In$_{0.2}$As-квантовыми точками. Ток насыщения был рассчитан для температур в диапазоне от 20 до 325 K. Расчет основывался на обнаруженном ранее токовом инварианте, определяющем зависимость тока насыщения от температуры и ширины запрещенной зоны. Определение темпа рекомбинации в различных каналах, а также соответствующих ширин запрещенных зон было произведено по анализу спектров фотолюминесценции. Для различных каналов были определены характерные температуры, ниже которых тепловые выбросы носителей заряда практически отсутствуют. Расчет тока насыщения показал, что, несмотря на изменение темпов рекомбинации в различных каналах, он определяется только рекомбинацией через каналы с наименьшей энергией рекомбинации.

Ключевые слова: солнечные элементы, ток насыщения, токовый инвариант, эффективность.

Поступила в редакцию: 07.06.2023
Исправленный вариант: 18.10.2023
Принята в печать: 06.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56970.5296

Реферативные базы данных:

•