Физика полупроводниковых приборов

Анализ устойчивости генерации в лазерах на квантовых ямах

З. Н. Соколова^a, Л. В. Асрян<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA 24061, USA

Аннотация: Проведен анализ устойчивости двух режимов генерации в полупроводниковых лазерах на квантовых ямах. Эти режимы генерации соответствуют двум решениям системы скоростных уравнений, получаемым при учeте зависимости внутренних оптических потерь от концентрации носителей заряда, инжектированных в волноводную область лазера, и, следовательно, от тока инжекции. Показано, что, в отличие от всегда устойчивого и, следовательно, наблюдаемого первого (“обычного”) режима генерации, второй (“дополнительный”) режим, целиком обусловленный внутренними потерями, зависящими от концентрации носителей, является неустойчивым и, следовательно, не может наблюдаться в стационарных (steady-state) условиях в лазерной структуре, рассмотренной в настоящей работе.

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры с низкоразмерной активной областью, внутренние оптические потери, линейный анализ устойчивости.

Поступила в редакцию: 05.10.2023
Исправленный вариант: 11.11.2023
Принята в печать: 14.11.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56968.5630

Реферативные базы данных:

•