Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Сближение энергий плазмона и электронного перехода в кристалле Bi$_{0.6}$Sb$_{1.4}$Te$_3$

Н. П. Степанов

Забайкальский государственный университет, Чита, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости спектров коэффициента отражения в диапазоне проявления эффектов, обусловленных резонансным поведением плазмы свободных носителей заряда кристалла Bi$_{0.6}$Sb$_{1.4}$Te$_3$, в температурных зависимостях магнитной восприимчивости которого наблюдаются особенности. Обнаружено изменение формы плазменного края и обусловленное им расщепление пика функции энергетических потерь, позволяющее сделать вывод о наблюдении электрон-плазмонного взаимодействия, влияющего на состояние электронной системы.

Ключевые слова: теллуриды висмута и сурьмы, плазменное отражение, плазмон, электрон-плазмонное взаимодействие.

Поступила в редакцию: 11.05.2023
Исправленный вариант: 01.12.2023
Принята в печать: 03.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56966.5056

Реферативные базы данных:

•