Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001)

А. С. Пащенко^ab, О. В. Девицкий^ab, М. Л. Лунина<sup>a

a</sup> Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, 344006 Ростов-на-Дону, Россия
^b Северо-Кавказский федеральный университет, 355009 Ставрополь, Россия

Аннотация: Импульсным лазерным напылением осуществлено выращивание тонкой пленки GaInAsBi на подложке Si (001). Рост осуществлен в режиме Фольмера–Вебера. Зерна преимущественно монофазные, но разделены сетью дислокаций, а в некоторых участках присутствуют антифазные границы. Исследование реальной структуры методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии показывает, что релаксация напряжений произошла за счет пластических сдвигов, через зарождение дислокаций и скольжение по плотноупакованным плоскостям $\{111\}$, а также через двойникование и изменение шероховатости поверхности. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено, что пленка GaInAsBi имеет параметр решетки 5.856 $\mathring{\mathrm{A}}$. Среднеквадратическая шероховатость поверхности пленки, измеренная методом атомно-силовой микроскопии, составила 0.51 нм.

Ключевые слова: III–V соединения, сильно рассогласованные сплавы, импульсное лазерное напыление, GaInAsBi, кремний.

Поступила в редакцию: 31.07.2023
Исправленный вариант: 29.11.2023
Принята в печать: 01.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56963.5468

Реферативные базы данных:

•