Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Дислокационная структура темплейтов AlN/SiC, выращенных методом сублимации

А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, Л. М. Сорокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована дислокационная структура слоя AlN, выращенного на подложке SiC методом сублимации. Особенность метода состояла в испарении подложки в процессе выращивания слоя для предотвращения его растрескивания. Цель исследования состояла в выявлении источников прорастающих дислокаций в слое AlN. В слое обнаружены составные дислокационные пороги, которые являются источниками дислокаций. Предположена связь образования порогов с процедурой испарения подложки.

Ключевые слова: нитрид алюминия, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, порог.

Поступила в редакцию: 20.06.2023
Исправленный вариант: 06.11.2023
Принята в печать: 06.11.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56962.5333

Реферативные базы данных:

•