Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Дефекты с глубокими уровнями в высоковольтных плавных $p$–$i$–$n$-гетеропереходах AlGaAsSb/GaAs

М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследованы высоковольтные плавные $p^0$–$i$–$n^0$-переходы Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$ с $x\sim$ 0.24 и $y\sim$ 0.05 в $i$-области. Установлено, что эффективной рекомбинационной ловушкой в них является $DX$-центр донорной примеси Si, с энергией термической активации $E_t$ = 414 мэВ, сечением захвата $\sigma_n$ = 1.04$\cdot$10$^{-14}$ см$^2$ и концентрацией $N_d$ = 2.4$\cdot$10$^{15}$ см$^{-3}$. В исследованных гетероструктурах отсутствовали глубокие уровни, связанные с дислокациями.

Ключевые слова: AlGaAsSb, $p^0$–$i$–$n^0$-переход, DLTS, $DX$-центр, жидкофазная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 12.05.2023
Исправленный вариант: 17.07.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56961.5131C

Реферативные базы данных:

•